磁阻元件是用一种在外施磁场的作用下可以改变其自身阻值的材料制作而成的元件。
主要包括各向异性磁阻 (AMR)、隧道磁阻 (TMR)。

各向异性磁阻 (AMR)
当强磁性薄膜的磁化方向和电流流动方向平行时（a），和当强磁性薄膜的磁化方向和电流流动方向垂直时（b），电子的分散度发生变化导致阻值变化。

隧道磁阻 (TMR)
在强磁性体（Pinned层）-非磁性金属-强磁性体（Free层）的交替层叠结构下， 当Pinned层和Free层的磁化方向反向平行时（a），和当Pinned层和Free层的磁化方向相同时（b），电子的分散度发生变化导致阻值变化。